TRANSCEND 16GB JM DDR4 2666Mhz SO-DIMM 1Rx8 2Gx8 CL19 1.2V

Motherboard memory module type:SODIMM DDR4DDR4-2666 SO-DIMM (JetRam) Moduły pamięci JetRam firmy Transcend są produkowane z prawdziwych chipów DRAM ETT klasy, markowych, które przeszły surowy proces selekcji firmy Transcend oraz rygorystyczne testy środowiskowe. Moduły zapewniają doskonałą kompatybilność i sprawdzoną niezawodność, co jest idealne do rozbudowy komputera w atrakcyjnej cenie. Każdy moduł pamięci ma częstotliwość 2666MHz, co znacznie zwiększa wydajność przesyłu danych dzięki wyższej przepustowości do 21GB/s. Przy napięciu nominalnym wynoszącym zaledwie 1,2V, pamięć DDR4 SO-DIMM JetRam firmy Transcend zapewnia możliwość obniżenia zarówno temperatury pracy, jak i obciążenia elektrycznego kontrolera pamięci, co pozwala zaoszczędzić do 40% energii w porównaniu do standardowych modułów DDR3 oferujących 1,5V. Opis produktu został przetłumaczony przez sztuczną inteligencję i może zawierać nieścisłości.

Typ produktu: SDRAM DDR4
Czarny kolor
EAN: 0760557847441
Kod producenta: JM2666HSE-16G
Seria: JetRam
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2666 (PC4-21300)
Zegar fizyczny: 1333 MHz
Czas: 19
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.

Typ produktu: SDRAM DDR4
Czarny kolor
EAN: 0760557847441
Kod producenta: JM2666HSE-16G
Seria: JetRam
Pojemność: 16 GB
Ilość: 1 sztuka
Projekt: SO-DIMM
Złącze: 260 pin
Napięcie: 1,2 wolta
Standardowo: DDR4-2666 (PC4-21300)
Zegar fizyczny: 1333 MHz
Czas: 19
Więcej informacji: DDR4 to dalszy rozwój DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w porównaniu do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, wyższa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB), a także poprawioną stabilność operacyjną dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (cykliczna kontrola nadmiarowości), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność na DRAM”.