Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

NB MEMORY 16GB PC25600 DDR4/SO KVR32S22S8/16 KINGSTON

1691709-260611102821
KINGSTON
Opinie
696.06 zł
brutto za 1 szt
towar dostępny
Ilość:
<
od 8.99
około śr. 17.06 - pn. 22.06 u Ciebie
Oblicz ratę

Dane główne

1691709-260611102821
KINGSTON
KVR32S22S8/16
0740617310894, 740617310894
od 8.99
2026-06-11
Dowiedz się więcej

Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Kingston KVR32S22S8/16 to moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 16 GB (PC4-25600) z serii ValueRAM. 260-pinowy moduł SO-DIMM jest zaprogramowany na opóźnienie CAS wynoszące 22-22-22 przy 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 V. Nr artykułu: 1767771


Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN -0740617310894
Numer części producenta: KVR32S22S8/16
Seria ValueRAM
Pojemność 16 GB
Ilość 1 sztuka
w formacie SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.
Uwaga: pojedyncza ranga x8

Kingston KVR32S22S8/16 to moduł pamięci DDR4-3200 o pojemności 16 GB (PC4-25600) z serii ValueRAM. 260-pinowy moduł SO-DIMM jest zaprogramowany na opóźnienie CAS wynoszące 22-22-22 przy 3200 MHz i wymaga napięcia 1,2 V. Nr artykułu: 1767771


Typ SDRAM-DDR4
Kod EAN -0740617310894
Numer części producenta: KVR32S22S8/16
Seria ValueRAM
Pojemność 16 GB
Ilość 1 sztuka
w formacie SO-DIMM
Złącze 260-pinowe
Napięcie 1,2 V
DDR4-3200 (PC4-25600)
Zegar fizyczny 1600 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 22
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dalsze informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia moduły pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości do 512 GB) oraz poprawioną stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (wykrywanie parzystości na chipie) i „adresowalność per DRAM”.
Uwaga: pojedyncza ranga x8