kingston Pamięć DDR4 Fury Renegade 128GB(4*32GB)/3600 CL18

Motherboard memory module type:DDR4; RAM properties:Passive CoolerKingston DDR4 BlackUlepszaj systemy oparte na AMD lub Intel ultrawysoką pamięcią Kingston FURY™ Renegade DDR4, która zapewni utrzymanie najwyższej wydajności. Połącz szybkości do 5333 MT/s*1 z szybkim czasem CL16-CL20, aby zwiększyć liczbę klatek, utrzymać płynność strumieni i błyskawicznie edytować wszelkie treści. Odważny, dwukolorowy czarny chłodzący radiator z czarnym PCB nie tylko dodaje stylu, ale także odprowadza ciepło podczas obsługi dużego obciążenia. Dostępne w pojemnościach pojedynczego modułu 8 GB–32 GB oraz zestawach 2, 4 i 8 z pojemnością 16 GB–256 GB. Kingston FURY Renegade DDR4 jest gotowy dla AMD Ryzen, [Certified zgodnie z XMP] i [XMP Ready]. Czy jesteś gotowy na profile zoptymalizowane dla najnowszych chipsetów AMD i Intel?SpecyfikacjeSpecyfikacje techniczneTechnologia pamięci RAMDIMMTyp pamięciDDR4Rozmiar pamięci RAM4x 32GBCzęstotliwość pamięci RAM3600 MT/sOpóźnienia CASCL18Czasowanie18-22-22Organizacja pamięci2Rx8 Opis produktu został przetłumaczony przez sztuczną inteligencję i może zawierać nieścisłości.

Kingston FURY KF436C18RB2K4/128 to zestaw 4 modułów pamięci DDR4-3600 (PC4-28800) o pojemności 32 GB z serii Renegade. Całkowita pojemność wynosi 128 GB. Moduł 288-pinowy obsługuje opóźnienie 18 przy częstotliwości 3600 MHz i wymaga napięcia 1,35 V. Obsługiwana jest wersja 2.0 standardu XMP firmy Intel.


Typ SDRAM-DDR4
Kolor czarny
Numer EAN 0740617337778
Numer producenta KF436C18RB2K4/128
Seria Renegade
Pojemność 128 GB (4 x 32 GB)
Ilość 4 sztuki
Format pamięci DIMM
Profile INTEL XMP (wersja 2.0)
Złącze 288-pinowe
Napięcie 1,35 V (od 1,2 do 1,35 V)
Standardowa pamięć DDR4-3600 (PC4-28800)
Taktowanie fizyczne 1800 MHz
Czasy Opóźnienie CAS (CL) 18
Czas wstępnego ładowania RAS (tRP) 22
Dodatkowe informacje DDR4 jest dalszym rozwinięciem pamięci DDR3 i oferuje szereg innowacji i zalet w stosunku do swojego poprzednika, takich jak do 40% niższe zużycie energii, wyższe prędkości, większa gęstość danych (umożliwia stosowanie modułów pamięci o pojemności do 128 GB, w przyszłości nawet do 512 GB) i poprawiona stabilność działania dzięki zaawansowanym technikom korekcji błędów, takim jak CRC (Cyclic Redundancy Check), CMD/ADD (On-chip parity detection) i „Per DRAM Addressability”.