Co nas wyróżnia ?

Co mówią o nas zadowoleni klienci:

Dysk SSD HIKSEMI FUTURE 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s) 3D TLC

Dysk SSD HIKSEMI FUTURE 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s) 3D TLC główny
1523829-250731131700
HIKSEMI
Opinie

Dane główne

1523829-250731131700
HIKSEMI
HS-SSD-FUTURE(STD)/512G/PCIE4/WW

Treści zawarte na stronie internetowej mają charakter informacyjny i nie stanowią oferty handlowej w rozumieniu przepisów kodeksu cywilnego.

Opis

Format:M.2; Interface:NVMe; Disc Type:SSD NVMeHIKSEMI FUTURE SSDPCIE 4.0 NVMe M.2 SSDSzybkość odczytu do 7450 MB/sWysoka wydajność z nową technologiąSpecyfikacjaSpecyfikacje techniczneInterfejsPCIe Gen4x4Format dyskuM.2 2280Typ dysku twardegoSSDPojemność całkowita512 GBSekwencyjna prędkość odczytu/zapisudo 7050 / 4200 MB/sLosowa prędkość odczytu/zapisudo 710k / 640k IOPSMTBF2 000 000 godzinZapisane TB(TBW)900 TBW Opis produktu został przetłumaczony przez sztuczną inteligencję i może zawierać nieścisłości.

Parametry techniczne

Parametry techniczne produktu

Producent
HIKSEMI
Nazwa typu
Dyski twarde
Opis ogólny
SSD HIKSEMI FUTURE 512GB M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 2280 (7050/4200 MB/s) 3D TLC
Pojemność dysku
512 GB
Format dysku
M.2 2280
Typ dysku
SSD
Typ kości pamięci
3D NAND
Technika zapisywania danych
TLC
Interfejs
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max)
7050 MB/s
Prędkość zapisu (max)
4200 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written)
900.0
Odczyt losowy
710000 IOPS
Zapis losowy
640000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)
2000000 h
Kolor obudowy
Czarny (Black)
Cechy
512GB;7050/4200 MB/s
Informacje dodatkowe
  • Maksymalny pobór prądu: 3.66 W
  • AES-256/SM4/TCG-Opal 2.0/IEEE1667
  • Third-generation Agile ECC technology (4K LDPC), end-to-end data protection
  • RAID5 & 6
  • Temperatura pracy: 0°C - 70°C
  • Temperatura przechowywania: -40°C - 85°C
Gwarancja producenta
60
Gwarancja producenta [mies.]
60